Лазерные системы обработки и передачи информации

Скачать в pdf «Лазерные системы обработки и передачи информации»


При воздействии света на i-слой, создаваемые электронно-дырочные пары из-за имеющегося электрического поля разделяются и движутся к соответствующим полюсам, попадая предварительно в p-слой. Учитывая, что электрическое поле в данном слое намного выше, их ускорение возрастает, позволяя накопить такую энергию, которая становится достаточной для возбуждения (генерирования) дополнительных электронов и перехода их из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс носит название умножения первичного фототока.


В кремниевых APD диодах последовательность слоев обычно следующая: п+-р-р-р+. Высоколегированные слои п+ и р+ представляют собой контактные области, а р-зона с почти собственной проводимостью формирует поглощающий слой. Зону усиления определяет пик электрического поля на стыке n/р слоев, а защитные кольца предотвращают боковую утечку за-


рядов. Верхний слой из нитрида кремния (Si3N4), так же, как и в PIN диодах, служит антиотражательным покрытием.


APD из арсенида галлия обычно обладают двойной гетероструктурой, в которой поглощение происходит только в слое InGaAs, имеющем наименьшую запретную энергетическую зону.


На рис. 9.13 приведены типичные спектральные характеристики лавинных фотодиодов. Пример структуры лавинного фотодиода приведен на рис.


9.14.

600    800    1000    1200    1400    1600    1800 л,мкм



Рис. 9.13. Спектральные характеристики лавинных фотодиодов


Аи/Аи-контакт (+о)


/п-InGaAs


4,3мкм ^пл=4у/0м~’


/N-InP


9мнмп^6*Юг1м’

‘Буферный слой Р*~1пР


Подложно Р*~1пР



л Но/ни -тнонтонт(-и)


150 мкм____j


—— -I I — ■ «-in — n—РФ    ■


I


Падающее излучение


Рис. 9.14. Пример гетероструктуры лавинного фотодиода


Таблица 9.4


Модель


фотодиода


Тип


фотодиода


Длина волны (нм)


Диаметр


площадки


(мкм)


Темп.


диапазон


Тип корпуса фотодиода

Скачать в pdf «Лазерные системы обработки и передачи информации»