Лазерные системы обработки и передачи информации

Скачать в pdf «Лазерные системы обработки и передачи информации»


Далее приведены этапы разработки источников для ВОЛС:


1965 г. — существуют только охлаждаемые (-70°С) полупроводниковые лазеры со сроком службы менее 100 ч;


1970 г. — Ж. И. Алферов разработал полупроводниковый лазер, работающий при комнатной температуре;


1973 г. — получены лазерные диоды со сроком службы 1000 ч;


1975    г. — разработан источник излучения на 1=0,85 мкм;


1976    г. — срок службы лазеров увеличен до 100000 час (10 лет);


1977    г. — срок службы лазеров увеличен до 1 млн. час (100 лет);


1978    г. — создан источник излучения на 1=1,3 мкм;


1982 г. — создан полупроводниковый лазер с 1=1,55 мкм.


С точки зрения вида диаграммы направленности все источники излучения, подходящие для ВОЛС, можно разделить на две группы: ламбертовские (рис. 9.1, а) и гауссовские (рис. 9.1, б) излучатели.

Рис. 9.1. Характер распределения излучения ламбертовского (а) и гауссовского (б)


источников


По спектральному составу излучения источники для ВОЛС подразделяются на светодиоды (LED) и полупроводниковые лазеры (LD). Первые характеризуются большой расходимостью и шириной линии излучения, вторые отличаются малой    расходимостью,    сравнительно высокой


когерентностью и линейчатой структурой спектра излучения.


С точки зрения физических процессов все полупроводниковые светоизлучающие приборы для ВОЛС основаны на инжекционной люминесценции в гомо- и гетероструктурах.


Значения запрещенной зоны и генерируемой длины волны наиболее распространенных материалов, используемых для изготовления полупроводниковых источников излучения, приведены в табл. 9.1.


Т аблица 9.1


Материал


Запрещенная энергетическая зона,


Длина волны, мкм


эВ

Бинарные соединения


GaP


2,24


0,55

Скачать в pdf «Лазерные системы обработки и передачи информации»